VULNERABILIDADDetectada 05 NOV · 01:55

CVE-2026-68990 Corrupción de memoria en Samsung Exynos H-Arx DRM plugin

Validación de entrada incorrecta durante operaciones de búfer en Samsung Exynos H-Arx DRM plugin puede causar corrupción de memoria, con posible denegación de servicio o escalada de privilegios.

—S/D

CVSS 3.1 · PRELIMINAR

Probabilidad de explotación · EPSS del 09/110,1 % · percentil 3
Explotada activamenteNo confirmada
Exploit públicoNo conocido

Afectados

Samsung Semiconductor Exynos 1480
0
Samsung Semiconductor Exynos 2400
0
Samsung Semiconductor Exynos 1580
0
Samsung Semiconductor Exynos 2500
0
Samsung Semiconductor Exynos 2600
0
Samsung Semiconductor Exynos 1680
0

Qué hacer

Verificá si usás Exynos 1480 y en qué versión.
Actualizá a la versión corregida que indique el fabricante en su aviso o aplicá su mitigación.
Revisá registros y accesos de los sistemas expuestos para descartar un uso previo.

Calculadora CVSS

Esta vulnerabilidad todavía no tiene vector CVSS publicado.

Descripción original

In the Samsung Exynos H-Arx DRM plugin, improper input validation during buffer operations can cause memory corruption, potentially leading to denial of service or privilege escalation.

Referencias (1)

semiconductor.samsung.com/support/quality-support/product-security-updates/

Resumen traducido automáticamente de la descripción original. Fuente: Nureq Monitor. Cómo funciona.